功率模块MOSFET、 IGBT,、二极管和晶闸管的数据文件

电压：它使用两个极性来描述这之间的电压。当正电极端口到负极端口的电压为正，例如: 的VCE。

--C 集电极

--E 发射极

--G 栅极

--D 漏极

--S 源极

--K 阴极

--A 阳极

对于二极管不是用“AK”，而是用“F”代表正向(“正向”是从阳极电位同阴极电位的差l)和“R”的表示反向

电压(“反向” ，阴极电位和阳极电位的差l)。对于晶体管的下标，除了两个字母外还可以用第三个字

母表示连接状态，例如: VCES是指IGBT的“栅极和发射极之间短路”。以下缩写字母允许被使用:

-- S: 短路

-- R: 指定电阻电路;

-- V: 指定的外部电压;

-- X: 指定电阻和外部电压

在字母下标的前面或后面还可以使用另外的字母来表示元器件的参数(如V(BR)DS或VGE(th)或VCEsat)，有

无括号和大小写均可，例如:

-- (BR): 击穿电压(“Break”);

-- sat: 饱和电压(“saturation”);

-- (th): 门限电压或开启电压(“threshold”);

-- clamp: 外部钳位电路限制电压。

电源电压下标符号表示电源连接端口，它用两个双写字母表示例如:VGG(栅极-发射极电流回路的电

源电压)，VCC, VDD 。

电流: 它的下标字母是使用流入元器件端口的一个缩写字母(例如，IG是栅极电流，G 代表栅极，C

代表集电极)。从端口流入的电流为正电流。在二极管中是用“F“表示正向电流(从阳极到阴极)和“R”

表示反向电流(从阴极到阳极)。但截止电流和漏电流例外，它们用二个下标字母表述了截止电压加

在元器件的两个端口。这里同电压一样，还可以用第三个字母表示连接状态，例如: IGES。在这些

字母下标的前面或后面还可以使用另外的字母来表示元器件的参数，有无括号和大小写均可，例如:

-- av: 平均值 (average value);

-- rms: 有效值 (root mean square);

-- M: 峰值 (maximum);

-- R: 周期 (repetitive) ;

-- S: 非周期 (spike);

-- puls: 脉冲调制 (Gleichstrom).

热量参数: 温度总是用大写的T表示。最常用的下标有:

-- j 截止层(结)，老的参考书用“vj”表示

-- c 外壳，这里是指散热底座

-- s 散热板(片)，老的参考书用“ h”表示散热器

-- r 参考点，通常指集成温度传感器

-- a 环境，这里通常是指冷却液(水)的温度

温差以及热阻(Rth)或热阻抗(Zth)使用由连字符隔开的两个字母，表示在这两点之间的值，例

如，DT(j-a)和Rth(c-s)。

机械参数:这些参数主要涉及元器件的组装。关键变量M是螺钉连接和散热器安装时的扭矩，还有变

量F是连接端口同安装表面的作用力。

其他符号:对于一些在其他专业使用的术语和符号都可以被使用。有些使用括号表示开关状态(on，

开通)(off，关闭)。

极限值，额定值

极限值、额定值通常以表格形式给出，有时也会以曲线图的形式。

极限值 (Ratings)

在模块的数据文件中给出的极限值是在模块不会被彻底破坏时，电子，热力和机械方面允许的边界

值。“正常”的元件老化会发生在这些极限值内。每个极限值都是在特定的、不可忽视的限制条件下

得出的。在不同的环境条件下，可能会得出不同的极限值，因为它同环境条件有很紧密的联系。

极限值是绝对的，在给出元器件的一组极限值中，即使超出其中的某一个极限值就会导致元器件的

损坏。除了“静态”的极限值以外，还存在“动态”极限值，即限制了开关过程中工作点的移动(电流/电

压)。除非另有说明，否则，在数据表中列出的极限值都是在芯片或者外壳温度为25°C时得出的，

所以在较高的环境温度时，极限值有可能会被降低。

额定值 (特征值)

额定值就是在一定的环境条件(通常是实际应用条件下)测试确定的元器件特征值。同样，每个额定

值都是在一定的，不可忽视的环境条件下得出的。因为这些环境条件的不规范，额定值常常以典型

参数值给出。它通常是在参考温度(芯片或外壳温度)为25°C时给出的，有时也会在温度为125°C或

150°C时给出参数。在不同温度时，必须考虑额定值参数数值的变化，这种变化是同温度有关。