变频器IGBT模块主要参数与基本特性

  由于IGBT的优良性能和市场需求的旺盛,它的发展十分迅速，IGBT自80年代后期投人市场以来，产品已经系列化，模块化，容量不断提高。
  以西门子的产品为例，已经有600V和1200V1700V和3300V四个电压等级的系列产品。
一单元模块:1200V的达到2400A，1700V的达到1800A，3300V的达到1200A。
两单元摸块：1200V的达到800A，1700V的达到600A，3300V的达到400A，
六单元模块：1200V的达到100-400A，1700V的达到75-300A。
IGBT的主要参数与基本特性：
  通常IGBT的使用手册给出如下的几个主要参数.
1、集电极发射极额定电压Uces，这个电压值是厂家根据器件的雪崩击穿电压而规定的,是栅极-发射极短路时IGBT能承受的耐压值,也就是说Uces值小于等于雪崩击穿电压。
2、栅极-发射极额定电压 Uges， IGBT是电压控制器件,靠加到栅极的电压信号控制IGBT的导通和关断,而Uges就是栅极控制信号的电压额定值。目前,IGBT的Uges值大部分为+20V,在使用中,设计的控制电压值不能超过该值。
3、额定集电极电流Ic，该参数给出了IGBT在导通时能流过管子的持续最大电流。
4、集电极-发射极饱和电压Uce（sat),此参数给出IGBT在正常饱和导通时集电极-发射极之间的电压降,此值越小,管子的功率损耗越小。IGBT模块的Uce(值约为2.5~3.5V）。
5、开关频率，在IGBT的使用手册中,开关频率是以导通时间ton、下降时间tt和关断时间toff给出的,根据这些参数可估计IGBT的开关频率。IGBT实际工作频率都在100KHZ以下。因此，开关频率高也是IGBT的一个优点。